Descriere produs
Ambalaj: Dublu MOS-5 milliohm rezistența internă 200V-substrat de aluminiu Pachetul două: Dublu MOS-2.95 milliohm rezistența internă 150V-substrat de aluminiu
200V80A de Mare Putere Diodă Ideală
Ușor de Instalare Fixe cu Poziționarea Gaura
Pozitiv de înaltă tensiune ideală dioda controller.Comparativ cu diode Schottky, acest lucru poate oferi o mai mică pierdere în cale, și în aplicații de mare putere, se poate oferi o soluție mai eficientă, și de a salva valoroase circuit spațiu prin reducerea cererii pentru disiparea căldurii.
Notă: substrat de Aluminiu disipare a căldurii este foarte rapid.Nu demontați și reparații fără instrumente profesionale.Neautorizate demontare și reparații nu sunt garantate.
De intrare și de ieșire sunt echivalente cu diode.Tensiunea de ieșire este detectat de a fi mai mare decât cel de intrare și de ieșire este oprit imediat.Detectarea valoare este de la milivolți nivel.
Corespunzătoare viteza este foarte rapid.
Scop: alegerea Ideală pentru înlocuirea ordinară mare curent diode și panouri solare în paralel.
Este potrivit pentru încărcare și rambleiere de protecție.Acest ideal dioda nu poate fi folosit pe circuitul redresor.
Admisibilă de tensiune de funcționare: 100-200V
Static curent: 0.6-1.5 d, care este nesemnificativă pentru întregul sistem.
Dual MOS Substrat de Aluminiu 5mOH:
Continuu curent de lucru este mai mică decât 40 (fără disipare a căldurii) 60 de grade, spate-montat zonă mare radiator cu răcire forțată cu aer disipare a căldurii este de 80 A, circuitul dimensiune: 55*50 mm, cu șurub diametru gaura este de 3 mm.
Folie de cupru grosime: 2 uncii,
Folia de cupru strat de aluminiu și stratul de bază de PCB pe substraturi de aluminiu sunt izolate cu 1000V tensiune.Nu este nevoie să vă faceți griji despre cădere.Conductivitatea termică este de 20 de ori mai repede decât cea a FR4 din fibră de sticlă și poate fi atașat direct la mare radiatoare.
Pretul a inclus o listă de accesorii: ideal diodă placa de baza * 1 + 3 * cabluri ureche + 3 * șurub
Original nou Infineon 250V tensiune înaltă tranzistor MOS are o conducție rezistența internă de doar 5 milliohms!
